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新潔能MOS管為什么會(huì)發(fā)熱,什么原因

發(fā)布時(shí)間:2025-02-08來(lái)源: 聯(lián)冀電子閱讀:298

電子、電器、家電產(chǎn)品消費(fèi)制造時(shí),需求用到很多不同類型的電子元件,如新潔能MOS管、電阻、DC-DC電源芯片等,每種電子元件都有它不同的功用作用,當(dāng)然,這些電子元件用久了,也防止不了會(huì)有一些問(wèn)題,今天來(lái)聊聊其中一種電子元件,接下來(lái)看看新潔能MOS管為什么會(huì)發(fā)熱,有哪些什么緣由。


  1、減少運(yùn)用頻率

  這也是用戶在調(diào)試過(guò)程中常見(jiàn)的現(xiàn)象。頻率降落主要是由兩個(gè)方面形成的。輸入電壓與負(fù)載電壓之比小,系統(tǒng)干擾大。關(guān)于前一種狀況,負(fù)載電壓越高,效率越高,但要留意負(fù)載電壓不要設(shè)置得太高。假如是后者,您能夠嘗試以下辦法:a、將小電流設(shè)置得較小。b、更明晰地布置關(guān)鍵途徑,特別是關(guān)于意義而言。c、選擇較小的電感器或運(yùn)用具有閉合磁路的電感器。d、添加 RC 低通濾波器,這個(gè)效果有點(diǎn)不好,C、的分歧性不好,偏向有點(diǎn)大,但是關(guān)于打光來(lái)說(shuō)曾經(jīng)足夠好了。無(wú)論如何,降低頻率沒(méi)有益處,只要害處,所以這個(gè)問(wèn)題需求處理。


  2、芯片發(fā)熱

  內(nèi)置功率調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片,假如芯片耗費(fèi)的電流為2mA,給芯片施加300V的電壓,則芯片的功耗為0.6W,芯片自然會(huì)發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的大電流由驅(qū)動(dòng)功率MOS管的功耗決議。簡(jiǎn)單的計(jì)算公式是I=cvf。思索到充電帶來(lái)的電阻的益處,實(shí)踐I=2cvf。其中c為功率MOS管的cgs電容,v為功率管的電導(dǎo)率。由于柵極電壓開(kāi)啟,我們需求想方法降低c、v、f來(lái)降低芯片的功耗。假如c、v、f無(wú)法改動(dòng),就想方法將芯片的功耗分配給片外設(shè)備,留意不要產(chǎn)生額外的功耗。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),就是思索改善散熱。


  3、電感或變壓器的選擇

  同樣的驅(qū)動(dòng)電路,用A制造的電感還好,但用B制造的電感電流較小。在這種狀況下,請(qǐng)查看電感電流波形。有些工程師沒(méi)有認(rèn)識(shí)到這種現(xiàn)象,直接調(diào)整檢測(cè)電阻或工作頻率來(lái)到達(dá)所需的電流,這會(huì)嚴(yán)重影響 LED 的運(yùn)用壽命。因而,設(shè)計(jì)前需求停止合理的計(jì)算。假如理論計(jì)算參數(shù)與調(diào)試參數(shù)相差較大,應(yīng)思索能否降低頻率以及變壓器能否飽和。當(dāng)變壓器飽和時(shí),L變小,由于傳輸延遲招致的峰值電流增加疾速增加,LED峰值電流相應(yīng)增加。假定均勻電流堅(jiān)持不變,能夠簡(jiǎn)單地察看光衰。


  4、功率管發(fā)熱

  功率管的功耗可分為兩局部:開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。請(qǐng)留意,在大多數(shù)狀況下,特別是在 LED 電源供電應(yīng)用中,開(kāi)關(guān)損壞遠(yuǎn)大于傳導(dǎo)損耗。開(kāi)關(guān)損耗不只與芯片的驅(qū)動(dòng)才能和工作頻率有關(guān),還與功率管的CGD和CGS有關(guān)。因而,功率管發(fā)熱能夠從以下幾個(gè)角度來(lái)處理。A、MOS功率管內(nèi)阻越小,CGS和CGD電容越大,因而不能僅依據(jù)單側(cè)導(dǎo)通電阻來(lái)選擇MOS功率管,這就是您選擇功率管時(shí)所需求的。B.剩下的是頻率和芯片驅(qū)動(dòng)才能。我們?cè)谶@里只討論頻率效應(yīng)。頻率也與傳導(dǎo)損耗成正比,所以假如你的功率管發(fā)熱,你首先應(yīng)該思索你的頻率選擇能否太高。想方法降低頻率! 但是,隨著頻率的降低,峰值電流會(huì)增加,或者為了取得相同的負(fù)載才能而需求加大電感器,因而需求留意電感器可能會(huì)進(jìn)入飽和區(qū)。假如電感的飽和電流足夠高,能夠思索從CCM(連續(xù)電流形式)改為DCM(斷續(xù)電流形式),這需求增加負(fù)載電容。


  綜上所述,能夠理解到新潔能MOS管發(fā)熱的緣由有4個(gè),有芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、減少運(yùn)用頻率、電感方面的緣由 。


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