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紫光微MOS管這三個(gè)極的含義

發(fā)布時(shí)間:2024-09-27來(lái)源: 聯(lián)冀電子閱讀:338

紫光微MOS管的這三個(gè)極分別是:G,S,D,下面分別講講這三個(gè)極各自的含義。

1.判斷柵極G

MOS驅(qū)動(dòng)器主要起波形整形和加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)的作用:假如紫光微MOS管的G信號(hào)波形不夠陡峭,在點(diǎn)評(píng)切換階段會(huì)造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉(zhuǎn)換效率,紫光微MOS管發(fā)燒嚴(yán)峻,易熱損壞紫光微MOS管GS間存在一定電容,假如G信號(hào)驅(qū)動(dòng)能力不夠,將嚴(yán)峻影響波形跳變的時(shí)間.

將G-S極短路,選擇萬(wàn)用表的R×1檔,黑表筆接S極,紅表筆接D極,阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無(wú)限大,并且交換表筆后仍為無(wú)限大,則證實(shí)此腳為G極,由于它和另外兩個(gè)管腳是絕緣的。

2.判斷源極S、漏極D

將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別丈量三個(gè)管腳之間的電阻。用交換表筆法測(cè)兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,此時(shí)黑表筆的是S極,紅表筆接D極。因?yàn)闇y(cè)試前提不同,測(cè)出的RDS(on)值比手冊(cè)中給出的典型值要高一些。

3.丈量漏-源通態(tài)電阻RDS(on)

在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié),因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異,可識(shí)別S極與D極。例如用500型萬(wàn)用表R×1檔實(shí)測(cè)一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=3.2W,大于0.58W(典型值)。

測(cè)試步驟:

紫光微MOS管的檢測(cè)主要是判斷紫光微MOS管漏電、短路、斷路、放大。

其步驟如下:

假如有阻值沒(méi)被測(cè)紫光微MOS管有漏電現(xiàn)象。

1、把連接?xùn)艠O和源極的電阻移開(kāi),萬(wàn)用表紅黑筆不變,假如移開(kāi)電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無(wú)限大,則紫光微MOS管漏電,不變則完好

2、然后一根導(dǎo)線把紫光微MOS管的柵極和源極連接起來(lái),假如指針立刻返回?zé)o限大,則MOS完好。

3、把紅筆接到MOS的源極S上,黑筆接到紫光微MOS管的漏極上,好的表針指示應(yīng)該是無(wú)限大。

4、用一只100KΩ-200KΩ的電阻連在柵極和漏極上,然后把紅筆接到MOS的源極S上,黑筆接到紫光微MOS管的漏極上,這時(shí)表針指示的值一般是0,這時(shí)是下電荷通過(guò)這個(gè)電阻對(duì)紫光微MOS管的柵極充電,產(chǎn)生柵極電場(chǎng),因?yàn)殡妶?chǎng)產(chǎn)生導(dǎo)致導(dǎo)電溝道致使漏極和源極導(dǎo)通,故萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn),偏轉(zhuǎn)的角度大,放電性越好。

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