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紫光微MOS管功率的基本特性

發布時間:2020-01-03來源: 聯冀電子閱讀:1189

靜態特性:其轉移特性和輸出特性。

漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關系稱為紫光微MOS管的轉移特性,ID較大時,ID與UGS的關系近似線性,曲線的斜率定義為跨導Gfs。

紫光微MOS管的漏極伏安特性(輸出特性):截止區(對應于GTR的截止區);飽和區(對應于GTR的放大區);非飽和區(對應于GTR的飽和區)。電力 紫光微MOS管工作在開關狀態,即在截止區和非飽和區之間來回轉換。電力紫光微MOS管漏源極之間有寄生二極管,漏源極間加反向電壓時器件導通。電力 紫光微MOS管的通態電阻具有正溫度系數,對器件并聯時的均流有利。

動態特性:

其測試電路和開關過程波形。

td(on)導通延時時間——導通延時時間是從當柵源電壓上升到10%柵驅動電壓時到漏電流升到規定電流的10%時所經歷的時間。

tr上升時間——上升時間是漏極電流從10%上升到90%所經歷的時間。  

iD穩態值由漏極電源電壓UE和漏極負載電阻決定。UGSP的大小和iD的穩態值有關,UGS達到UGSP后,在up作用下繼續升高直至達到穩態,但iD已不變。  

開通時間ton——開通延遲時間與上升時間之和。

td(off)關斷延時時間——關斷延時時間是從當柵源電壓下降到90%柵驅動電壓時到漏電流降至規定電流的90%時所經歷的時間。這顯示電流傳輸到負載之前所經歷的延遲。

tf下降時間——下降時間是漏極電流從90%下降到10%所經歷的時間。

關斷時間toff——關斷延遲時間和下降時間之和。

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