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MOS管重要特性

1、導通特性

導通的意義是作為開關(guān)，相當于開關(guān)閉合。NMOS的特性，VGS大于一定的值就會導通，適用于源極接地時的情況（低端驅(qū)動），只需柵極電壓達到4V或10V就可以了。PMOS的特性是，VGS小于一定的值就會導通，適用于源極接VCC時的情況（高端驅(qū)動）。

2、損失特性

不管是NMOS還是PMOS,導通后都有導通電阻存在，電流就會被電阻消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。小功率MOS管導通電阻一般在幾毫歐至幾十毫歐左右，選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。

MOS管在進行導通和截止時，兩端的電壓有一個降落過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內(nèi)，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，這稱之為開關(guān)損失。通常開關(guān)損失比導通損失大得多，而且開關(guān)頻率越快，損失也越大。

導通瞬間電壓和電流的乘積越大，構(gòu)成的損失也就越大。縮短開關(guān)時間，可以減小每次導通時的損失；降低開關(guān)頻率，可以減小單位時間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開關(guān)損失。