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紫光微MOS管的常用參數:

VDS，即漏源電壓，這是紫光微MOS管的一個極限參數，表示紫光微MOS管漏極與源極之間能夠承受的最大電壓值。需要注意的是，這個參數是跟結溫相關的，通常結溫越高，該值最大。

RDS(on)，漏源導通電阻，它表示MOSFET在某一條件下導通時，漏源極之間的導通電阻。這個參數與紫光微MOS管結溫，驅動電壓Vgs相關。在一定范圍內，結溫越高，Rds越大;驅動電壓越高，Rds越小。

Qg，柵極電荷，是在驅動信號作用下，柵極電壓從0V上升至終止電壓(如15V)所需的充電電荷。也就是紫光微MOS管從截止狀態到完全導通狀態，驅動電路所需提供的電荷，是一個用于評估紫光微MOS管的驅動電路驅動能力的主要參數。

Id，漏極電流，漏極電流通常有幾種不同的描述方式。根據工作電流的形式有，連續漏級電流及一定脈寬的脈沖漏極電流(Pulsed drain current)。這個參數同樣是紫光微MOS管的一個極限參數，但此最大電流值并不代表在運行過程中漏極電流能夠達到這個值。它表示當殼溫在某一值時，如果MOSFET工作電流為上述最大漏極電流，則結溫會達到最大值。所以這個參數還跟器件封裝，環境溫度有關。

Eoss，輸出容能量，表示輸出電容Coss在紫光微MOS管存儲的能量大小。由于紫光微MOS管的輸出電容Coss有非常明顯的非線性特性，隨Vds電壓的變化而變化。所以如果datasheet提供了這個參數，對于評估紫光微MOS管的開關損耗很有幫助。并非所有的紫光微MOS管手冊中都會提供這個參數，事實上大部分datasheet并不提供。

Body Diode di/dt 體二極管的電流變化率，它反應了紫光微MOS管體二極管的反向恢復特性。因為二極管是雙極型器件，它受到電荷存儲的影響，當二極管反向偏置時，PN結儲存的電荷必須清除，上述參數正是反應這一特性的。

Vgs，柵源極最大驅動電壓，這也是紫光微MOS管的一個極限參數，表示紫光微MOS管所能承受的最大驅動電壓，一旦驅動電壓超過這個極限值，即使在極短的時間內也會對柵極氧化層產生永久性傷害。一般來說，只要驅動電壓不超過極限，就不會有問題。但是，某些特殊場合，因為寄生參數的存在，會對Vgs電壓產生不可預料的影響，需要格外注意。

SOA，安全工作區，每種紫光微MOS管都會給出其安全工作區域，不同雙極型晶體管，功率紫光微MOS管不會表現出二次擊穿，因此安全運行區域只簡單從導致結溫達到最大允許值時的耗散功率定義。